根據(jù)有關報道，美國政府正在考慮進一步限制中國獲取用于人工智能（AI）的尖端芯片技術。據(jù)悉，美國此次鎖定的目標是一種新型硬件技術——全環(huán)繞柵極（GAA）技術，該技術能夠顯著提升半導體的性能。

　　目前，包括英偉達、英特爾、AMD等芯片制造商及其合作伙伴臺積電、三星電子都計劃于明年開始大規(guī)模生產(chǎn)采用GAA技術的半導體。

　　報道指出，盡管具體措施和時間表尚未確定，但美國的目標是使中國難以組裝構建和操作AI模型所需的復雜計算系統(tǒng)，封鎖技術商業(yè)化前的發(fā)展階段。不過，這些措施不會完全禁止出口GAA芯片，而是將重點放在制造這些芯片所需的技術上。

　　全環(huán)繞柵極（GAA）技術

　　近年來，隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、智能駕駛、機器人等新興領域的蓬勃發(fā)展，為半導體行業(yè)帶來了新的機遇。在數(shù)字化加速轉型及信息科技競爭加劇的背景下，半導體技術也變得更加精密和復雜，相關技術隨之得以快速發(fā)展。

　　在過去的這些年里，鰭式場效應晶體管（FinFET）架構遵循著摩爾定律隨之發(fā)展。然而隨著器件尺寸的不斷縮小，F(xiàn)inFET架構正在接近其性能極限，難以滿足晶體管所需的靜電控制，其漏電現(xiàn)象隨著尺寸的縮小而急劇惡化。于是，全環(huán)繞柵極（GAA）技術應運而生，其作為FinFET的“接班人”，被業(yè)界廣泛視為下一代半導體技術的關鍵。

　　全環(huán)繞柵極（GAA）技術是一種先進的晶體管結構，它通過將柵極完全包圍在溝道周圍，實現(xiàn)對電流的高效控制，從而提高芯片的性能和能效比。與傳統(tǒng)的FinFET技術相比，GAA技術可以提供更高的性能、更低的功耗以及更小的芯片尺寸。

　　據(jù)了解，三星電子是最早宣布開始生產(chǎn)基于3nmGAA工藝節(jié)點芯片的公司。三星的3nm GAA技術采用了更寬通的納米片，與采用窄通道納米線的GAA技術相比能提供更高的性能和能耗比。

　　與三星5nm工藝相比，第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%；而第二代3nm工藝則預計使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

　　GAA技術對人工智能領域的影響

　　當下，隨著科技的飛速發(fā)展，以大模型為代表的人工智能技術已成為全球科技領域的熱點和焦點。而在人工智能的快速發(fā)展進程中，硬件的進步始終是推動算法和應用走向實用化的核心動力之一。

　　在這一進程中，GAA技術作為一種新型的晶體管技術，正逐漸在半導體行業(yè)中嶄露頭角，并對AI領域的應用有著深遠的影響，其主要體現(xiàn)在以下幾個方面：

• 提升AI芯片的計算性能

　　隨著AI技術的高速發(fā)展，對高性能的計算需求日益增長，尤其是隨著AI大模型的日益復雜化，對高性能的計算能力要求更高。而GAA技術通過優(yōu)化晶體管結構，提高了晶體管的開關速度和性能，使得AI芯片在處理復雜任務時能夠更快地完成計算，從而顯著提升了AI芯片的運算速度和能效比。

• 降低AI系統(tǒng)的成本

　　能耗一直是限制AI發(fā)展的一個重要因素，尤其是在數(shù)據(jù)中心等大規(guī)模的運算場合，對低能耗的計算需求不斷增長。借助GAA技術的低功耗優(yōu)勢，使得AI芯片能夠在更短的時間內(nèi)完成更多的運算任務。這也意味著在相同的性能要求下，采用GAA技術的AI芯片可以使用更少的核心和更低的功耗，從而降低整個AI系統(tǒng)的成本。

• 加速AI技術的普及與發(fā)展

　　隨著GAA技術的應用，不僅為AI領域提供了更強大的計算能力，也使得更高性能的AI模型能夠在更低的功耗下運行。這將加速AI技術在各個領域更加廣泛的應用和普及，推動AI技術的快速發(fā)展。

　　基于提高計算效率、降低能耗、推動技術普及等優(yōu)勢，GAA技術已成為人工智能領域的關鍵技術之一，當前在5G連接、醫(yī)療技術和自動駕駛等AI領域的應用中，GAA技術均為其帶來了性能的顯著提升。

　　展望未來，隨著技術的不斷成熟和應用領域的擴展，GAA技術有望在未來幾年內(nèi)對AI領域產(chǎn)生深遠的影響，開啟智能計算的新紀元。

　　GAA技術相關概念股

　　目前，我國全環(huán)繞柵極（GAA）技術相關概念股有：柏誠股份、朗科科技、微導納米、概倫電子、新萊應材、拓荊科技等。