12月16日 消息：IBM和三星電子推出了一種新的半導體設計——采用垂直晶體管架構(gòu)的垂直傳輸場效應晶體管 (VTFET)。

兩家公司于12 月15日宣布，與縮放鰭式場效應晶體管 (finFET) 相比，新的半導體設計有可能將能源使用量減少85%。三星電子還公布了一項生產(chǎn) IBM 5納米芯片的計劃，用于服務器。

VTFET是一種在芯片表面垂直堆疊晶體管的技術。從歷史上看，晶體管被制造成平放在半導體表面上，電流橫向流過它們。借助 VTFET，IBM 和三星已經(jīng)成功地實現(xiàn)了垂直于芯片表面構(gòu)建的晶體管，并具有垂直或上下電流。

VTFET 工藝解決了許多性能障礙和限制，以擴展摩爾定律，因為芯片設計人員試圖將更多晶體管裝入固定空間。它還影響晶體管的接觸點，從而以更少的能量浪費獲得更大的電流?？傮w而言，與按比例縮放的 finFET 替代方案相比，新設計旨在將性能提高兩倍或?qū)⒛茉词褂脺p少85%。

IBM和三星電子在美國紐約州的奧爾巴尼納米技術研究中心聯(lián)合開發(fā)了 VTFET 技術。

同一天，IBM還宣布三星將生產(chǎn)基于節(jié)點的 5 納米IBM芯片。該芯片有望使用在IBM自己的服務器平臺。三星在2018年宣布將制造 IBM 的7納米芯片，該芯片在今年早些時候用于 IBM Power10 服務器系列。IBM今年 4 月亮相的人工智能（AI）處理器Telum也是三星基于IBM的設計制造的。