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可在室溫制造 新研發(fā)碳電晶體速度超越非晶硅

2007-12-20 09:01 RFID世界網(wǎng)

導(dǎo)讀:能在室溫下制造半導(dǎo)體元件的技術(shù),將使諸如電子布告欄(electronic billboards)這樣的大規(guī)模應(yīng)用,以及可拋棄式的RFID標(biāo)簽這樣的超低成本應(yīng)用成為可能。但大多數(shù)的室溫電晶體的電子遷移率非常低,數(shù)值僅有每伏秒數(shù)百分之一平方公分(cm2/Vs)。

能在室溫下制造半導(dǎo)體元件的技術(shù),將使諸如電子布告欄(electronic billboards)這樣的大規(guī)模應(yīng)用,以及可拋棄式的RFID標(biāo)簽這樣的超低成本應(yīng)用成為可能。但大多數(shù)的室溫電晶體的電子遷移率非常低,數(shù)值僅有每伏秒數(shù)百分之一平方公分(cm2/Vs)。  

現(xiàn)在,美國(guó)喬治亞理工學(xué)院(Georgia Institute of Technology,Georgia Tech)的研究人員聲稱,已透過利用碳60 (C60)薄膜──也就是巴克球(buckyballs)或富勒烯(fullerenes)──來制造電晶體(transistor)的通道(channel),找到了一種可產(chǎn)生比非晶硅(amorphous)速度快100倍的室溫電晶體制造方法。  

“我們并未宣稱是第一個(gè)能在室溫下制造C60電晶體的實(shí)驗(yàn)室,”Georgia Tech教授Bernard Kippelen表示:“我們的研發(fā)成果創(chuàng)新之處,在于能證明在室溫制程下獲得了3~5 cm2/Vs這樣的高電子遷移率的同時(shí),也能獲得良好的可再生性(reproducibility)、穩(wěn)定性、低閥值電壓,以及高開關(guān)電流比(on-off current ratios)?!?nbsp;

全球的實(shí)驗(yàn)室都在研究室溫制程技術(shù),以便利用廉價(jià)、高產(chǎn)量捲軸式(roll-to-roll)印刷機(jī)或噴墨印刷技術(shù),制造大型顯示器以及像RFID這樣的低成本應(yīng)用產(chǎn)品;如此一來,就不需要無塵室內(nèi)那些昂貴、高溫的處理制程。而有許多方法正試圖在利用有機(jī)材料制作電晶體的同時(shí),也嘗試?yán)眯虏牧吓浞絹韺で筇嵘娮舆w移率的途徑。  

有其他研究單位已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了高于Georgia Tech研究小組的電子遷移率,但多是透過高溫制程來製造有機(jī)電晶體。而美國(guó)業(yè)者Kovio雖已經(jīng)開發(fā)出一種無機(jī)硅墨水(inorganic silicon ink),可透過噴墨印刷方式來制造薄膜電晶體,不過製程溫度卻遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于塑膠基板所能承受的范圍。  

而盡管Georgia Tech的研發(fā)成果,未能實(shí)現(xiàn)高溫制程所能達(dá)到的電子遷移率(Kovio聲稱其電子遷移率與多晶硅一樣好),他們所實(shí)現(xiàn)的電子遷移率已經(jīng)超越非晶硅。而該技術(shù)的一個(gè)潛在應(yīng)用,就是生產(chǎn)僅要求16ms刷新率(refresh rate)的服務(wù)型顯示器(service display);它們可使用低價(jià)的塑膠基板。  

以過去幾年的設(shè)計(jì)改善為基礎(chǔ),Kippelen聲稱他的研究小組已經(jīng)確定了需要在低溫下針對(duì)高電子遷移率進(jìn)行最佳化的材料和參數(shù):“我們的研究建立在對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體進(jìn)行精煉(purification)和處理的數(shù)年經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)之上。而對(duì)閘極電介質(zhì)(gate dielectric)以及電極金屬的選擇,也扮演了重要的角色?!?nbsp; 

Georgia Tech教授Bernard Kippelen (中)在室溫電晶體研發(fā)計(jì)畫上,與同校的研究科學(xué)家Benoit Domercq以及博士候選人Xiao-Hong Zhang攜手合作。  

為了方便起見,Georgia Tech研究小組的示范元件是在硅基板上制造的;但研究人員聲稱,他們的有機(jī)C60電晶體使用的所有元素,都是在室溫下制成。而用于該室溫電晶體的金屬電極,則是利用跟OLED以及塑膠太陽能電池所采用的透明製程(transparent process)一樣的技術(shù)沉積而成。  

“我們的電極是利用光罩(shadow masking)以及熱蒸發(fā)(thermal evaporation)制程,在有機(jī)半導(dǎo)體的頂層制成的;”Kippelen表示:“透過讓金屬源極(source)和基板之間保持足夠大的距離(3英尺),能讓基板不至于在沉積過程中過熱?!?nbsp; 

下一步,研究人員將探索制造n通道和p通道電晶體的方法,以便利用室溫有機(jī)材料,制造用于主動(dòng)矩陣顯示器的CMOS反相器(inverters)、環(huán)狀振蕩器(ring oscillator)、邏輯閘以及驅(qū)動(dòng)器等類似的輔助電路?!赣盟苣z底板取代硅基板,也是我們未來研究計(jì)畫的一部份;」Kippelen表示。  

不過采用C60制造電晶體通道還是有一個(gè)缺點(diǎn)存在,即是它們對(duì)氧氣敏感,意味著這種元件必須在氮?dú)猸h(huán)境中工作。而研究人員計(jì)劃透過重新形成富勒烯分子,并以真空方式來封裝元件以解決上述問題。