3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。

　　美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節(jié)。美光在演講中表示 DRAM 節(jié)點和沉浸式光刻分辨率問題，名為“Chop”的層數(shù)量不斷增加，這就意味著添加更多的曝光步驟，來取出密集存儲器陣列外圍的虛假結構（dummy structures）。

　　美光公司表示由于光學系統(tǒng)本身性質，這些 DRAM 層的圖案很難用光學光刻技術進行印刷，而納米打印方式可以用更精細的方式打印出來，且鑒于納米印刷技術應用成本是沉浸式光刻技術的五分之一，因此是非常不錯的解決方案。

　　納米印刷技術并不能在內存芯片生產的所有階段取代傳統(tǒng)的光刻技術，兩者并非純粹的競爭關系，但該技術至少可以降低單個技術操作的成本。

　　IT之家此前報道，佳能 2023 年10 月公布 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻（NIL）半導體設備。佳能社長御手洗富士夫表示，納米壓印光刻技術的問世，為小型半導體制造商生產先進芯片開辟了一條新的途徑。

　　佳能半導體設備業(yè)務經理巖本和德表示，納米壓印光刻是指將帶有半導體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，只需一個印記，就可以在適當?shù)奈恢眯纬蓮碗s的 2D 或 3D 電路圖案，因此只需要不斷改進掩模，甚至能生產 2nm 芯片。