10月8日，深圳市發(fā)展和改革委員會發(fā)布《深圳市關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施（征求意見稿）》（以下簡稱《征求意見稿》）。

《征求意見稿》提出重點(diǎn)支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造；高端電子元器件制造；晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet（芯粒）等先進(jìn)封裝測試技術(shù)；EDA工具、關(guān)鍵IP核技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設(shè)備等先進(jìn)裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn)以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

此外，《征求意見稿》明確提出全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)、聚力增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系等內(nèi)容。

下為全文：

深圳市關(guān)于促進(jìn)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)

高質(zhì)量發(fā)展的若干措施

（征求意見稿）

為貫徹落實(shí)黨中央、國務(wù)院關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略部署，推進(jìn)我市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)突破和整體提升，培育完善的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)核心競爭力，充分銜接《關(guān)于加快集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干措施》（深府辦規(guī)〔2019〕4號），結(jié)合《深圳市培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群行動計劃（2022-2025年）》，按照精準(zhǔn)、可操作的原則，結(jié)合我市實(shí)際情況，制定以下措施。

一、適用機(jī)構(gòu)和重點(diǎn)支持領(lǐng)域

本措施適用于注冊地、統(tǒng)計地及納稅地均在深圳市的集成電路設(shè)計、制造、封裝測試、設(shè)備、材料企業(yè)，或提供相關(guān)集成電路產(chǎn)業(yè)服務(wù)的企業(yè)、機(jī)構(gòu)或組織。本措施具體條款另有規(guī)定的除外。

本措施重點(diǎn)支持高端通用芯片、專用芯片和核心芯片、化合物半導(dǎo)體芯片等芯片設(shè)計；硅基集成電路制造；氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體制造；高端電子元器件制造；晶圓級封裝、三維封裝、Chiplet（芯粒）等先進(jìn)封裝測試技術(shù)；EDA工具、關(guān)鍵IP核技術(shù)開發(fā)與應(yīng)用；光刻、刻蝕、離子注入、沉積、檢測設(shè)備等先進(jìn)裝備及關(guān)鍵零部件生產(chǎn)；以及核心半導(dǎo)體材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

二、全面提升產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)

（一）實(shí)現(xiàn)核心芯片產(chǎn)品突破。重點(diǎn)突破CPU、GPU、DSP、FPGA等高端通用芯片的設(shè)計，布局人工智能芯片、邊緣計算芯片等專用芯片的開發(fā)。以5G通信產(chǎn)業(yè)為牽引，全面突破射頻前端芯片、基帶芯片、光電子芯片等核心芯片。聚焦智能“終端”等泛物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，推動超低功耗專用芯片、NB-IoT芯片的快速產(chǎn)業(yè)化。對企業(yè)購買IP開展高端芯片研發(fā)，給予IP購買實(shí)際支付費(fèi)用最高20%的資助，單個企業(yè)每年總額不超過1000萬元。加快基于RISC-V等精簡指令集架構(gòu)的芯片研發(fā)，對研發(fā)投入1000萬元（含1000萬元）以上的RISC-V芯片設(shè)計企業(yè)，按照不超過研發(fā)投入的20%給予補(bǔ)助，每年最高1000萬元。對深圳企業(yè)銷售自研芯片，且單款銷售金額累計超過2000萬元的，按照不超過當(dāng)年銷售金額的15%給予獎勵，最高1000萬元。

（二）加強(qiáng)對設(shè)計企業(yè)流片支持。積極協(xié)調(diào)深圳支持建設(shè)的集成電路生產(chǎn)線和中試線開放一定產(chǎn)能，服務(wù)深圳中小設(shè)計企業(yè)的流片需求。支持集成電路設(shè)計企業(yè)加大新產(chǎn)品研發(fā)力度，重點(diǎn)支持集成電路設(shè)計企業(yè)流片和掩模版制作。對于使用多項(xiàng)目晶圓進(jìn)行研發(fā)的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜版制作費(fèi)用的50%和直接流片費(fèi)用70%、年度總額不超過500萬元的補(bǔ)助；對于首次完成全掩膜工程產(chǎn)品流片的深圳企業(yè)，最高給予該款產(chǎn)品首輪掩膜制作費(fèi)用50%和流片費(fèi)用50%，年度總額不超過700萬元的補(bǔ)助。

（三）提升半導(dǎo)體制造能力。加強(qiáng)與集成電路制造企業(yè)合作，規(guī)劃建設(shè)邏輯工藝和特色工藝集成電路生產(chǎn)線，支持建設(shè)高端片式電容器、電感器、電阻器等電子元器件生產(chǎn)線。支持代表新發(fā)展方向的半導(dǎo)體與集成電路制造重大項(xiàng)目落戶，鼓勵既有集成電路生產(chǎn)線改造升級。對落戶我市由市政府確定的集成電路制造重大項(xiàng)目、深圳本地半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)施的生產(chǎn)線重大升級改造項(xiàng)目，按照不超過設(shè)備采購?fù)顿Y額的10%給予補(bǔ)助，單個項(xiàng)目補(bǔ)助額度不超過15億元；自投產(chǎn)之日起，項(xiàng)目的生產(chǎn)性電價、生產(chǎn)性水價分別為當(dāng)時電價、水價的60%和50%；按照不超過研發(fā)費(fèi)用實(shí)際支出的50%給予研發(fā)補(bǔ)貼；按照實(shí)際銷售收入的10%給予流片補(bǔ)貼。

（四）趕超高端封裝測試水平。加快MOSFET模塊等功率器件、高密度存儲器封裝技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，重點(diǎn)突破晶圓級、系統(tǒng)級、凸塊、倒裝、硅通孔、面板級扇出型、三維、真空、Chiplet（芯粒）等先進(jìn)封裝核心技術(shù)，以及脈沖序列測試、IC集成探針卡等先進(jìn)晶圓級測試技術(shù)，按照項(xiàng)目實(shí)際投資額的10%給予補(bǔ)助，單個項(xiàng)目不超過1000萬元。

（五）加速化合物半導(dǎo)體成熟。鼓勵通信設(shè)備、新能源汽車、電源系統(tǒng)、軌道交通、智能終端等領(lǐng)域企業(yè)推廣試用化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品，提升系統(tǒng)和整機(jī)產(chǎn)品的競爭力。對年度采購深圳設(shè)計或制造的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品金額達(dá)2000萬元（含）以上的企業(yè)，按不超過采購金額的20%給予補(bǔ)助，每年最高500萬元。引導(dǎo)企業(yè)參與關(guān)鍵環(huán)節(jié)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制定，搶占產(chǎn)業(yè)制高點(diǎn)，提升產(chǎn)品市場主導(dǎo)權(quán)和話語權(quán)。

三、加速突破基礎(chǔ)支撐環(huán)節(jié)

（六）加快EDA核心技術(shù)攻關(guān)。推動模擬、數(shù)字、射頻集成電路等EDA工具軟件實(shí)現(xiàn)全流程國產(chǎn)化。支持開展先進(jìn)工藝制程、新一代智能、超低功耗等EDA技術(shù)的研發(fā)。加大對國產(chǎn)EDA企業(yè)的扶持力度，對從事EDA工具軟件研發(fā)的企業(yè)，按照不超過單個項(xiàng)目總投資的40%給予補(bǔ)助，最高2億元。加大國產(chǎn)EDA工具推廣應(yīng)用力度，鼓勵企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)購買或租用國產(chǎn)EDA工具軟件，推動國產(chǎn)EDA工具進(jìn)入高校課程教學(xué)。對購買國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機(jī)構(gòu)，按照不超過實(shí)際支出費(fèi)用的70%給予補(bǔ)助，每年最高1000萬元。對租用國產(chǎn)EDA工具軟件的企業(yè)或科研機(jī)構(gòu)，按照不超過實(shí)際支出費(fèi)用的50%給予補(bǔ)助，每年最高500萬元。

（七）推動關(guān)鍵材料自主可控。依托骨干企業(yè)加快光掩模、光刻膠、聚酰亞胺、濺射靶材、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、蝕刻液、清洗劑、拋光液、電鍍液功能添加劑、氟化冷卻液、陶瓷粉體等半導(dǎo)體材料的研發(fā)生產(chǎn)，按照不超過研發(fā)費(fèi)用（含材料驗(yàn)證測試費(fèi)用）的40%給予補(bǔ)助，最高1000萬元。支持首批次新材料進(jìn)入重點(diǎn)集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實(shí)際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。

（八）突破核心設(shè)備及零部件配套。鼓勵我市企業(yè)進(jìn)行集成電路關(guān)鍵設(shè)備及零部件研發(fā)，推進(jìn)檢測設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高真空泵等高端設(shè)備部件和系統(tǒng)集成開展持續(xù)研發(fā)和技術(shù)攻關(guān)，按照不超過單個項(xiàng)目總投資的40%給予補(bǔ)助，最高2億元。支持首臺套關(guān)鍵設(shè)備及零部件進(jìn)入重點(diǎn)集成電路制造企業(yè)供應(yīng)鏈，按一定期限內(nèi)產(chǎn)品實(shí)際銷售總額給予研制單位不超過30%，最高2000萬元獎勵。大力引進(jìn)國內(nèi)外設(shè)備及零部件領(lǐng)域龍頭企業(yè)落戶深圳，給予不超過3000萬元一次性落戶獎勵。

（九）加大關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)支持力度。進(jìn)一步增強(qiáng)深圳集成電路產(chǎn)業(yè)核心競爭力，提升產(chǎn)業(yè)整體自主創(chuàng)新能力，打破重大關(guān)鍵核心技術(shù)受制于人的局面，對我市集成電路產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)領(lǐng)域、優(yōu)先主題、重點(diǎn)專項(xiàng)的關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)予以資助。引導(dǎo)企業(yè)加大研發(fā)投入，對符合條件、開展研究開發(fā)活動的深圳集成電路企業(yè)，給予研究開發(fā)費(fèi)用補(bǔ)助。對于新引進(jìn)投資300萬元以上的集成電路企業(yè)給予房租補(bǔ)貼。

四、聚力增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展動能

（十）積極承擔(dān)國家專項(xiàng)戰(zhàn)略任務(wù)。鼓勵有關(guān)單位承擔(dān)國家發(fā)展改革委、工業(yè)和信息化部、科學(xué)技術(shù)部等部委開展的集成電路領(lǐng)域重大項(xiàng)目、重大技術(shù)攻關(guān)計劃和重點(diǎn)研發(fā)計劃。根據(jù)國撥資金撥付進(jìn)度，給予不超過1:1的資金配套，總額不超過項(xiàng)目總投資的30%。對重點(diǎn)核心企業(yè)提出的能夠解決集成電路產(chǎn)業(yè)鏈“卡脖子”問題，但未獲得國家資金的重大項(xiàng)目，根據(jù)企業(yè)自籌資金投入情況，可分階段給予不超過30%的配套資金支持。對于成功申報國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、國家制造業(yè)創(chuàng)新中心、國家技術(shù)創(chuàng)新中心的，予以1:1配套支持。

（十一）支持企業(yè)做大做強(qiáng)。助力企業(yè)快速發(fā)展，提高市場占有率，不斷做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。對年度營業(yè)收入首次突破1億元、3億元、5億元、10億元的深圳集成電路EDA、IP及設(shè)計企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團(tuán)隊(duì)500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。對年度營業(yè)收入首次突破10億元、20億元、50億元、100億元的深圳集成電路制造、封裝測試、關(guān)鍵裝備和材料企業(yè)，分別給予企業(yè)核心團(tuán)隊(duì)500萬元、700萬元、1000萬元和1200萬元的一次性獎勵。

（十二）強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)支撐平臺建設(shè)。建設(shè)集成電路領(lǐng)域制造業(yè)創(chuàng)新中心、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、IC設(shè)計平臺、設(shè)備材料研發(fā)中心、檢測認(rèn)證中心等公共服務(wù)平臺，以骨干企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)為依托，聯(lián)合上下游企業(yè)和高校、科研院所等構(gòu)建中小企業(yè)孵化平臺，對符合我市產(chǎn)業(yè)布局要求并經(jīng)市級認(rèn)定的平臺，按不超過平臺建設(shè)費(fèi)用的40%給予補(bǔ)助，最高3000萬元。平臺建成后，根據(jù)運(yùn)營服務(wù)情況，按每年不超過1500萬元給予補(bǔ)助。

（十三）完善產(chǎn)業(yè)投融資環(huán)境。探索設(shè)立市級集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，重點(diǎn)支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。支持符合條件的企業(yè)通過融資貸款、融資租賃參與項(xiàng)目建設(shè)和運(yùn)營，按照實(shí)際貸款或融資部分最高2.5個百分點(diǎn)進(jìn)行貼息，貼息年限最長不超過5年。支持企業(yè)充分利用主板、創(chuàng)業(yè)板、科創(chuàng)板等多層次資本市場上市融資發(fā)展，按上市掛牌進(jìn)程分階段給予不超過1500萬元的補(bǔ)助。支持保險機(jī)構(gòu)參與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,引導(dǎo)保險資金開展股權(quán)投資。

（十四）促進(jìn)進(jìn)出口貿(mào)易快速增長。搭建覆蓋通關(guān)全過程的信息互通和監(jiān)管平臺，優(yōu)化和簡化集成電路產(chǎn)品的進(jìn)出口環(huán)節(jié)和程序，建立本市集成電路企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)等試點(diǎn)單位“白名單”，便利試點(diǎn)單位通關(guān)。建立集成電路重點(diǎn)商品進(jìn)口指導(dǎo)目錄，對企業(yè)進(jìn)口自用集成電路生產(chǎn)性原材料、消耗品，凈化室專用建筑材料、配套系統(tǒng)和集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零配件等目錄所列商品，且年度累計進(jìn)口金額超過5000萬元的，按照進(jìn)口金額的5%給予補(bǔ)貼，每年最高500萬元。嚴(yán)格落實(shí)國家集成電路企業(yè)稅收優(yōu)惠政策，對集成電路重大項(xiàng)目進(jìn)口新設(shè)備，準(zhǔn)予分期繳納進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅。

（十五）支持行業(yè)組織發(fā)揮橋梁作用。成立聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈上下游的半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，不斷匯聚和融合全球產(chǎn)業(yè)資源和力量，提升深圳半導(dǎo)體與集成電路整體競爭力。支持產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、行業(yè)協(xié)會等社會組織發(fā)展，按項(xiàng)目擇優(yōu)給予最高500萬元資助。對經(jīng)認(rèn)定的聯(lián)盟、協(xié)會等社會組織，每年按照實(shí)際租金及物業(yè)服務(wù)管理費(fèi)的50%予以補(bǔ)貼，可連續(xù)補(bǔ)貼3年，每年最高不超過100萬元。在招商引資方面有突出貢獻(xiàn)的給予招商引資獎勵。

五、構(gòu)建高質(zhì)量人才保障體系

（十六）加強(qiáng)人才激勵保障。充分發(fā)揮市場調(diào)節(jié)作用，突出以用為本、市場認(rèn)可、市場評價，以人才市場價值、經(jīng)濟(jì)貢獻(xiàn)為主要評價標(biāo)準(zhǔn)，建立與人才市場價值、經(jīng)濟(jì)貢獻(xiàn)掛鉤的市場化激勵機(jī)制，重點(diǎn)支持引進(jìn)和留住一線研發(fā)人員，工程技術(shù)骨干及中高層管理人員，個人獎勵金額最高不超過500萬元。對在列入國家鼓勵的重點(diǎn)集成電路企業(yè)清單單位從事基礎(chǔ)研究、核心技術(shù)研發(fā)的人才，給予一定年限的穩(wěn)定支持。對市行業(yè)主管部門認(rèn)定的集成電路重點(diǎn)單位，優(yōu)先給予人才住房配額。

（十七）實(shí)施集成電路全球人才回溯計劃。加快從重點(diǎn)國家（地區(qū)）靶向引進(jìn)全球高端人才、創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)和管理團(tuán)隊(duì)。設(shè)立海外人才引進(jìn)服務(wù)機(jī)構(gòu)與海外人才歸國綠色通道，拉通海外集成電路高層次人才“選引用留”全流程服務(wù)機(jī)制，提供全程代辦服務(wù)，為高層次人才發(fā)放“鵬城優(yōu)才卡”，人才憑卡可直接辦理子女入學(xué)、人才住房、醫(yī)療保健、獎勵補(bǔ)貼申報等業(yè)務(wù)。

（十八）產(chǎn)學(xué)聯(lián)動培養(yǎng)各層次專業(yè)人才。大力發(fā)揮企業(yè)在人才培養(yǎng)中的作用，加快推進(jìn)產(chǎn)教融合，鼓勵有條件的高校（含技師學(xué)院）采取與集成電路企業(yè)合作的方式共建高技能人才培訓(xùn)基地，經(jīng)認(rèn)定符合條件的培訓(xùn)基地項(xiàng)目，按照不超過基地建設(shè)投入的20%給予一次性補(bǔ)助，最高2000萬元。加強(qiáng)高校（含技師學(xué)院）專業(yè)建設(shè)，擴(kuò)大半導(dǎo)體專業(yè)招生規(guī)模，重點(diǎn)培養(yǎng)一批高層次、復(fù)合型人才。

六、打造高水平特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)

（十九）優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間供給。由市產(chǎn)業(yè)主管部門統(tǒng)籌，半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群重點(diǎn)區(qū)負(fù)責(zé)對每年的產(chǎn)業(yè)用地和產(chǎn)業(yè)用房指標(biāo)予以量化，保證全市半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)每年新增或升級改造20萬平米產(chǎn)業(yè)用地或50萬平米產(chǎn)業(yè)用房供給。采用“容缺受理”“并聯(lián)審批”模式，提前開展用地選址預(yù)審，同步審定項(xiàng)目遴選方案和產(chǎn)業(yè)發(fā)展監(jiān)管協(xié)議，提高審批效率加快土地出讓。

（二十）加大特色園區(qū)建設(shè)支持力度。對經(jīng)認(rèn)定的新建或已有產(chǎn)業(yè)空間改造的特色產(chǎn)業(yè)園區(qū)，在立項(xiàng)、注冊、審批環(huán)節(jié)開通綠色通道，就近配套道路、供水、排污、排水、電訊光纜、供電、天然氣和土地平整等“八通一平”基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)實(shí)際需要，建設(shè)跨區(qū)域的雙回路供電備份設(shè)施，滿足集成電路制造企業(yè)高強(qiáng)度、不間斷電力供應(yīng)需求。

（二十一）加強(qiáng)環(huán)保配套措施。對于擬建設(shè)的特色園區(qū)，由市、區(qū)環(huán)保主管部門組成工作專班，一對一提供環(huán)保專業(yè)指導(dǎo)服務(wù)。完善園區(qū)環(huán)境基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，鼓勵園區(qū)加大配套固體、液體和氣體污染物處理設(shè)施、環(huán)境監(jiān)測、環(huán)境風(fēng)險應(yīng)急防控、環(huán)境信息化等方面的投入，按照不超過建設(shè)費(fèi)用的50%給予補(bǔ)助，最高2000萬元。

七、附則

本措施由深圳市發(fā)展和改革委員會負(fù)責(zé)解釋，執(zhí)行期間如遇國家、省、市有關(guān)政策及規(guī)定調(diào)整的，本措施可進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整。各責(zé)任單位應(yīng)當(dāng)及時制定出臺實(shí)施細(xì)則或操作規(guī)程。鼓勵各區(qū)、各產(chǎn)業(yè)園區(qū)根據(jù)各自產(chǎn)業(yè)規(guī)劃布局特點(diǎn)獨(dú)立制定補(bǔ)充配套措施。本措施與市區(qū)兩級其他同類優(yōu)惠措施，由企業(yè)按照就高不就低的原則自主選擇申報，不重復(fù)資助，已按市、區(qū)兩級“一事一議”享受政策支持的,本措施不再予以支持。