Impinj INDY RFID R2000第二代 讀寫器芯片

高度集成的Indy RFID讀寫器芯片與其支持軟件是整個第二代超高頻RFID讀寫器系列的核心，支持從近距離的嵌入式模塊到遠(yuǎn)距離門式讀寫器的廣泛應(yīng)用。

Indy R2000 RFID 讀寫器芯片—增加功能Indy R2000 RFID 讀寫器芯片定位于具有挑戰(zhàn)性的RFID 應(yīng)用. 在以下方面優(yōu)于 R1000 :采用載波消除技術(shù)，讀取準(zhǔn)確性更好、范圍更廣增加了協(xié)議的可配置性和高級無線電接入功能相位噪聲更低，更符合全球監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)提供一種可靠的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)各種應(yīng)用的優(yōu)化相干的IQ 解調(diào)提供較低RSSI變化、 載波相位以及最佳接收靈敏度集成的高性能VCO使得具有-126 dBc/Hz階段噪聲的業(yè)界能夠輕松應(yīng)對法規(guī)遵從的問題，增加了Rx的靈敏度，以及改善了DRM的操作。

?空中接口協(xié)議:
EPCglobal UHF Class 1 Gen 2 / ISO 18000-6C, ISO 18000-6B
? DSB, SSB, and PR-ASK 發(fā)射調(diào)制模式
? Dense reader mode (DRM)
Ipico, iP-X version 1.07
集成功率放大器
發(fā)射輸出功率:可調(diào)節(jié)為 > 25 dB
調(diào)制解調(diào)器:可配置數(shù)字基帶
運(yùn)行頻率: 840–960 MHz
封裝:64 引腳 9 mm x 9 mm x 0.85 mm QFN
功率:低功耗、取決于 1100 至 880 mW 配置；200|ΜW 待機(jī)
工藝:0.18μm SiGe BiCMOS
RSSI 每個標(biāo)簽，可配置帶寬
靈敏度-110 dBm；-95 dBm (DRM)；-84dBm (DRM)，使用 +10dBm 載波
支持區(qū)域美國、加拿大和其他符合 US FCC 47 CFG Ch. 1 Part 15 標(biāo)準(zhǔn)的地區(qū)
最高可配置為 17 dBm。支持外部功率放大器，以滿足高性能應(yīng)用之需,歐洲和其他符合 ETSI EN 302 208-1 (V1.1.1) 標(biāo)準(zhǔn)的地區(qū)